半導(dǎo)體生產(chǎn)制程
硅晶片制造工藝大致分為晶體生長工藝和晶片加工工藝。
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多晶硅（礦塊）
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單晶拉制（CZ法）
在CZ法中，將黑色加熱器石墨坩堝，石英坩堝和多晶硅置于拉制裝置中，在惰性氣氛中在減壓下加熱和熔融，并附著晶種并逐漸提拉以生長單晶。
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3
形成單晶硅棒
生長形成的圓柱狀單晶硅棒。直徑尺寸有4寸、6寸、8寸與12寸（未加工晶棒直徑并非標準直徑）。
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周邊研磨、切邊
將單晶硅棒兩頭進行切割并對柱體進行研磨，最終形成直徑為4寸、6寸、8寸與12寸的標準柱狀體。加工指示晶體取向的平面，切角（取向平面，一般用于小尺寸晶圓）或凹槽加工（一般用于大尺寸晶圓）是晶圓指向的兩種加工方式。
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完成外周加工后的鑄錠形狀如左圖所示。（此圖為帶槽口的情況）。
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5
切片加工
用金剛石線鋸切割法（用于大尺寸晶圓，折耗較?。┗騼?nèi)刃刀切割法切割（用于小尺寸晶圓，折耗較大）單晶硅晶柱，形成單片晶圓。
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6
硅晶圓外圓加工
用金剛石砂輪將晶片的外圓磨成標準產(chǎn)品直徑（4寸、6寸、8寸、12寸），然后將晶圓端面磨成弧形并倒角。
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7
粗研磨（雙面機械拋光）
將單片晶圓放置在上下研磨夾具之間并進行旋轉(zhuǎn)，同時研磨機對研磨夾具內(nèi)進行磨料送料，進行兩面拋光。
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8
CMP化學(xué)研磨（雙面化學(xué)拋光）
在研磨機旋轉(zhuǎn)夾具的同時進行晶圓的化學(xué)表面腐蝕以形成納米級光潔表面。將晶圓放置在研磨機夾具中，同時由夾具進行特殊化學(xué)研磨劑供料，將晶圓表面進行納米級的平整化處理。
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9
晶圓氧化處理
在擴散爐中進行熱處理，通過高溫氧化處理使單片晶圓表面形成氧化層。
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10
拋光（單面鏡面拋光）
將其上附著有晶片的板壓在其上附有砂布的旋轉(zhuǎn)面板上，并且在供應(yīng)磨料的同時，繼續(xù)通過機械和化學(xué)結(jié)合作用進行拋光直至其成為鏡面。
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11
清洗
用化學(xué)藥劑和超純水清洗晶圓，以進行下一步高潔凈度、高良率的芯片制造制程。
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12
檢查
對晶片表面進行光學(xué)外觀檢查，檢查晶圓的平整度、厚度與氧化膜厚度。
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13
包裝
將晶圓進行保護膜覆膜，并將覆膜完成的晶圓被放置在干凈的晶圓運輸箱中。
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14
出貨
晶圓是在減震的運輸箱中運輸?shù)模枰苊庖蜉p微撞擊而導(dǎo)致的破片損失。